دانلود پایان نامه رشته حقوق موارد صدور قرار موقوفی تعقیب کیفری در حقوق ایران با فرمت ورد و قابل ویرایش تعداد صفحات 113
دانلود پایان نامه آماده
مقدمه
در رسیدگی به جرائم دو دعوا در مقابل جرم بروز می نماید: 1-دعوای عمومی 2- دعوای خصوصی
دعوای عمومی : به دعوایی که دادسرا یا نهاد مشابه آن به نمایندگی از جامعه علیه متهم طرح و تعقیب می کند دعوای عمومی می گویند.[1]
دعوای خصوصی : دعوای ضرر و زیان متضرر از جرم است ، در مقابل دادگاهی که به امر کیفری رسیدگی می کند.[2]
مستنبط از ماده 3 ق.ا.د.ع.ا.ا.ک هر جرمی دارای جنبه عمومی می باشد از این جهت حتی در جرایم علیه اشخاص که به نظر فقط ماهیت خصوصی دارند نظم و امنیت جامعه نیز به هم می خورد در حقیقت ارتکاب جرم و بر هم خوردن نظم و امنیت جامعه در روی یک سکه هستند با توجه به این مطلب جرمی وجود ندارد که فاقد جنبه نباشد و اگر جرمی فاقد جنبه عمومی باشد اصلاً جرم محسوب نمی شود.و از طرف دیگر ادعای خصوصی برای مطالبه حق از قبیل قصاص و یا ضرر و زیان اشخاص حقیقی و حقوقی می باشد . توضیح این که برخلاف جنبه عمومی که همه جرایم واجد آن می باشد همه جرائم دارای جنبه خصوصی نیستند مثل ولگردی ، حمل اسلحه . لکن این جرائم دارای جنبه عمومی باشند.فی الحال گاهی در راه تعقیب متهمین به جرائم موانعی حاصل می شود که تعقیب را متوقف می سازد به عبارت دیگر تعقیب متهم وقتی مطرح می شود که مانعی در سر راه تعقیب متهم وجود نداشته باشد.این موانع گاه موقتی هستند که پس از رفع مانع و حصول شرایط قانونی امکان تعقیب فراهم می شود مانند قرار اناطه و مصونیت .و برخی موانع دیگر دایمی هستند که نهاد تعقیب برای همیشه از تعقیب متهم و به جریان انداختن دعوای عمومی باز داشته می شود.
1و2 محمد آشوری آیین دادرسی کیفری جلد ا ص 96 و 244-
فهرست مطالب
فهرست صفحه
چکیده 11
مقدمه 12
بخش اول : کلیات
فصل اول: ماهیت و اصول حاکم بر قرار موقوفی تعقیب
1-1 ؛ماهیت قرار موقوفی تعقیب کیفری 16
1-2 اصول حاکم بر قرار موقوفی تعقیب 19
1-3 سابقه تقتین 20
فصل دوم؛ مقامات ذیصلاح در صدور و مسائل مربوط به آن
2-1 در مرحله تحقیقات مقدماتی 22
2-2 در مرحله دادرسی 23
2-3 زمان و مهلت صدور قرار موقوفی تعقیب
- زمان صدور قرار موقوفی تعقیب 24
- مهلت صدور قرار موقوفی تعقیب 24
فصل سوم : تجدید نظر از قرار موقوفی تعقیب و مرجع صالح به رسیدگی پس از نقص آن
3-1 تجدید نظر از قرار موقوفی تعقیب
- مرجع دادسرایی 27
- مرجع دادرسی 30
الف : دادگاه کیفری استان 31
ب: دادگاه عمومی و انقلاب 31
3-2 مرجع صالح پس از نقص قرار 32
فصل چهارم : آثار قرار موقوفی تعقیب
4-1 : اثر آن بر شاکی خصوصی 34
4-2 : اثر آن بر قرار های اعدادی صادره در مراحل دادرسی 35
فصل پنجم: تفاوت قرار موقوفی تعقیب با سایر قرارها در امور کیفری
5-1: تفاوت قرار موقوفی تعقیب با قرارهای نهایی
الف : تفاوت قرار موقوفی تعقیب با قرار منع تعقیب 38
ب: تفاوت قرار موقوفی تعقیب با قرار مجرمیت 41
5-2: تفاوت قرار موقوفی تعقیب با قرارهای اعدادی 42
بخش دوم :موارد صدور قرار موقوفی تعقیب
فصل اول: فوت
کلیات 45
1- تعاریف
1-1-1 معنای فوت 46
الف ) مرگ ظاهری 46
ب) کما 47
ج) مرگ مغزی 48
د) حکم موت فرضی 50
2-1-1 :معنای مجازات شخصی
2-1 تاثیر فوت بر انواع مجازاتها
1-2-1 تاثیر فوت بر دیه 51
2-2-1 تاثیر فوت بر جزای نقدی 53
3-2-1 تاثیر فوت بر حکم مصادره اموال 54
3-1 اثر فوت بر مراحل دادرسی
1-3-1 فوت متهم قبل از تعقیب 55
2-3-1 فوت متهم حین تحقیقات و رسیدگی 56
3-3-1 فوت محکوم علیه قبل از سپری شدن مهلت شکایت از حکم 59
4-3-1 فوت محکوم علیه قبل از شکایت از حکم محکومیت 60
5-3-1 فوت محکوم علیه پس از صدور حکم قطعی 61
6-3-1 فوت محکوم علیه حین اجرای حکم 61
4-1 : نمونه کاربردی 62
فصل دوم: گذشت شاکی یا مدعی خصوصی در جرایم قابل گذشت
کلیات 64
1-2 : معنای گذشت 64
2-2 : جرایم قابل گذشت 65
3-2 : راه های شناسایی جرایم قابل گذشت
الف : روش ضابطه قانونی 65
ب: روش احصای قانونی 66
ج: روش قانون گذار ایران 66
4-2 : گذشت شاکی یا مدعی خصوصی
1-4-2 : تعریف شاکی 70
2-4-2 :تشریفات گذشت 71
3-4-2 : شرایط گذشت کننده
الف: حق تمتع 71
ب: اهلیت استیفاء 72
5-2 : مسائل مربوط به گذشت شاکی 73
فصل سوم : نسخ مجازات قانونی
کلیات 77
1- تعریف 77
2- آثار نسخ بر مراحل دادرسی
1-2-3 : نسخ مجازات قانونی قبل از تعقیب 78
3-1-3 : نسخ مجازات قانونی پس از اقدامات تعقیبی 80
و قبل از صدور حکم
3-2-3 : نسخ مجازات قانونی پس از صدور حکم 80
فصل چهارم : عفو
کلیات 83
4-1 : تعریف 83
4-2 :انواع عفو
الف: عفو عام 84
ب: عفو خاص 85
4-3 : آثار عفو
الف : آثار عفو عام 86
ب: آثار عفو خاص 86
فصل پنجم : اعتبار امر مختومه
کلیات 90
1-5 : تعریف 90
2-5 : شرایط حصول امر مختوم کیفری 90
3-5 : استثناء بر امر مختوم کیفری 94
فصل ششم: مرور زمان در مجازات های بازدارنده کلیات
6-1 : تعریف 97
6-2 : علت وضع مرور زمان
الف : دلایل موافقان 98
ب: دلایل مخالفان 99
6-3 : انواع مرور زمان
1-3-6: مرور زمان شکایت 99
2-3-6: مرور زمان تعقیب 100
3-3-6 : مرور زمان مجازات 100
6-4 قطع مرور زمان
الف : علل انقطاع مرور زمان 101
ب : آثار انقطاع مرور زمان 102
6-5 تعلیق مرور زمان 102
6-6 آثار مرور زمان 103
6-7 مرور زمان تعقیب در قانون آیین دادرسی دادگاه های عمومی و انقلاب در امور کیفری 103
فصل هفتم : جنون
کلیات 108
1-7 تعریف جنون 108
2-7 انواع جنون
الف : جنون ادواری 109
ب: جنون دایمی 109
3-7 تاثیر جنون بر مسئولیت متهم
1-3-7 : جنون در حین ارتکاب جرم 109
2-3-7 : جنون در زمان تعقیب 110
نتیجه گیری 113
پیشنهادات 114
منابع و ماخذ 117
فهرست نشانه های اختصاری
ق.آ.د.د.ع.ا.ک قانون آیین دادرسی دادگاه های عمومی و انقلاب در امور کیفری
ق.ا.ق.ت.د.ع.ا قانون اصلاح قانون تشکیل دادگاههای عمومی و انقلاب
ق.م.ا قانون مجازات اسلامی
ق.آ.د.م قانون آیین دادرسی مدنی
ص صفحه
رک رجوع کنید
ج جلد
دانلود پایان نامه کارشناسی ارشد مهندسی عمران کالیبراسیون ضرایب معادل سواری برای کلان شهر تهران با فرمت pdf تعداد صفحات 326
دانلود پایان نامه آماده
این پایان نامه جهت ارائه در مقطع کارشناسی ارشد رشته مهندسی عمران طراحی و تدوین گردیده است . و شامل کلیه مباحث مورد نیاز پایان نامه ارشد این رشته می باشد.نمونه های مشابه این عنوان با قیمت های بسیار بالایی در اینترنت به فروش می رسد.گروه تخصصی ما این پایان نامه را با قیمت ناچیزی جهت استفاده دانشجویان عزیز در رابطه با منبع اطلاعاتی در اختیار شما قرار می دهند. حق مالکیت معنوی این اثر مربوط به نگارنده است. و فقط جهت استفاده از منابع اطلاعاتی و بالابردن سطح علمی شما در این سایت ارائه گردیده است.
دانلود پایان نامه کارشناسی ارشد مهندسی عمران بررسی اندیس خسارت در پل های بتن آرمه با پایه های قابی شکل یا منفرد با فرمت PDF تعداد صفحات 147
دانلود پایان نامه اماده
این پایان نامه جهت ارائه در مقطع کارشناسی ارشد رشته مهندسی عمران طراحی و تدوین گردیده است . و شامل کلیه مباحث مورد نیاز پایان نامه ارشد این رشته می باشد.نمونه های مشابه این عنوان با قیمت های بسیار بالایی در اینترنت به فروش می رسد.گروه تخصصی ما این پایان نامه را با قیمت ناچیزی جهت استفاده دانشجویان عزیز در رابطه با منبع اطلاعاتی در اختیار شما قرار می دهند. حق مالکیت معنوی این اثر مربوط به نگارنده است. و فقط جهت استفاده از منابع اطلاعاتی و بالابردن سطح علمی شما در این سایت ارائه گردیده است.
دانلود پایان نامه کارشناسی ارشد مهندسی معدن بررسی امکان تفکیک کانسار مس منطقه دره زرشک استان یزد با استفاده از دور سنجی با فرمت PDF تعداد صفحات 109
دانلود پایان نامه آماده
این پایان نامه جهت ارائه در مقطع کارشناسی ارشد رشته مهندسی معدن طراحی و تدوین گردیده است . و شامل کلیه مباحث مورد نیاز پایان نامه ارشد این رشته می باشد.نمونه های مشابه این عنوان با قیمت های بسیار بالایی در اینترنت به فروش می رسد.گروه تخصصی ما این پایان نامه را با قیمت ناچیزی جهت استفاده دانشجویان عزیز در رابطه با منبع اطلاعاتی در اختیار شما قرار می دهند. حق مالکیت معنوی این اثر مربوط به نگارنده است. و فقط جهت استفاده از منابع اطلاعاتی و بالابردن سطح علمی شما در این سایت ارائه گردیده است
فرمت فایل:word (قابل ویرایش)
تعداد صفحات :118
فهرست مطالب :
مقدمه ……………………………………………………………………………………………………………………7
فصل 1 : سنسور چیست ؟……………………………………………………………………………………… 8
فصل 2 : تکنیک های تولید سنسور……………………………………………………………………………11
فصل 3 : سنسور سیلیکانی ………………………………………………………………………………………13
3_1 : خواص سیلیکان ……………………………………………………………………………………..15-13
3_2 : مراحل تولید در تکنولوژی سیلیکان……………………………………………………………16-15
3_3 : سنسور درجه حرارت ……………………………………………………………………………………17
3_4 : سنسور درجه حرارت مقاومتی …………………………………………………………………………17
3_5 : سنسور حرارت اینترفیس ………………………………………………………………………………..19
3_6 : سنسورهای حرارتی دیگر و کاربرد آنها……………………………………………………………..20
3_7 : سنسورهای فشار………………………………………………………………………………………….21
3-8 : اثر پیزو مقاومتی …………………………………………………………………………………………….22
3-9 : سنسورهای فشار پیزو مقاومتی ………………………………………………………………………..23
3_10 : اصول سنسورهای فشار جدید………………………………………………………………………..25
3_11 : سنسورهای نوری …………………………………………………………………………………………26
3_12 : مقاومت های نوری ……………………………………………………………………………………..27
3_13 : دیودهای نوری و ترانزیستورهای نوری…………………………………………………………..28
3-14 : سنسورهای میدان مغناطیسی ………………………………………………………………………….30
فصل 4 : مولدهای هال و مقاومتهای مغناطیسی…………………………………………………………….31
4_1 : کاربردهای ممکن سنسورهای میدان مغناطیسی……………………………………………………32
فصل 5 : سنسورهای میکرومکانیکی …………………………………………………………………………..34
5-1 : سنسورهای شتاب / ارتعاش …………………………………………………………………………….3
5_2 : سنسورهای یکروپل ………………………………………………………………………………………37
فصل 6 : سنسورهای فیبر نوری ………………………………………………………………………………..39
6_1 : ساختمان فیبر ها ……………………………………………………………………………………………40
6_2 : سنسورهای چند حالته ……………………………………………………………………………………41
6_3 : سنسورهای ک حالته …………………………………………………………………………………….44
6_4 : سنسورهای فیبر نوری توزیع شده ……………………………………………………………………46
فصل 7 : سنسورهای شیمیایی ………………………………………………………………………………….52
7_1 : بیو سنسورها ………………………………………………………………………………………………….56
7_2 : سنسورهای رطوبت ………………………………………………………………………………………..58
فصل 8 : سنسورهای رایج و کاربرد آن ………………………………………………………………………60
8_1 : سنسورهای خازنی ………………………………………………………………………………………….60
فصل 9 : سنسور ویگاند…………………………………………………………………………………………….62
فصل 10 : سنسرهای تشدیدی………………………………………………………………………………….66
10_1 : سنسوهای تشدیدی کوارتز……………………………………………………………………………67
10_2 : سنسورهای موج صوتی سطحی ……………………………………………………………………..69
فصل 11 : سنسورهای مافوق صوت …………………………………………………………………………..71
فصل 12 : سنسور پارک ……………………………………………………………………………………………79
12-1: پتاسیومترها …………………………………………………………………………………………………..79
12-2 : خطی بودن پتاسیومترها …………………………………………………………………………………80
12-3 : ریزولوشن پتاسیومترها …………………………………………………………………………………82.
12-4 : مسائل نویزالکتریکی در پتاسیومترها………………………………………………………………..84
12-5 : ترانسدیوسرهای جابه جایی القایی …………………………………………………………………85
12-6 : ترانسدیوسرهای رلوکتانس متغیر……………………………………………………………………..85
12-7 : ترانسفورمورهای تزویج متغیر: LDTوLVDT ………………………………………………89
12-8 : ترانسدیوسرهای تغییرمکان جریان ادی…………………………………………………………… 94
12-9 : ترانسدیوسرهای تغییرمکان خازنی ……………………………………………………………….. 96
12-10 : رفتارخطی ترانسدیوسرهای تغییرمکان خازنی ………………………………………………. 99
12-11: سنسورهای حرکت ازنوع نوری …………………………………………………………………..100
12-12 : ترانسدیوسرهای تغییرمکان اولتراسوند …………………………………………………………101
12-13 : سنسورهای پرآب هال سرعت چرخش وسیتم های بازدارنده
(کمک های پارکینگ ) ………………………………………………………………………………………….104
12-14 : سیستم های اندازه گیری تغییرمکان اثرهال …………………………………………………..105
12-15 : سنسوردوبل پارک ……………………………………………………………………………………106
12-16 : آی سی 555 درمواد ترانسمیتر……………………………………………………………………107
مقدمه:
امروز وابستگی علوم کامپیوتر، مکانیک و الکترونیک نسبت به هم زیاد شدهاند و هر مهندس و با محقق نیاز به فراگیری آنها دارد، و لذا چون فراگیری هر سه آنها شکل به نظر میرسد حداقل باید یکی از آنها را کاملاً آموخت و از مابقی اطلاعاتی در حد توان فرا گرفت. اینجانب که در رشته مهندسی مکانیک سیالات تحصیل میکنم، اهمیت فراگیری علوم مختلف را هر روز بیشتر حس میکنم و تصمیم گرفتم به غیر از رشته تحصیلی خود سایر علوم مرتبط با خودرو را محک بزنم. میدانیم که سالهاست علوم کامپیوتر و الکترونیک با ظهور میکروچیپها پیشرفت قابل ملاحظهای کردهاند و این پیشرفت دامنگیر صنعت خودرو نیز شده است، زیرا امروزه مردم نیاز به آسایش، ایمنی، عملکرد بالا از خودرو خود توقع دارند. از نشانههای ظهور الکترونیک و کامپیوتر در خودرو پیدایش سنسورها در انواع مختلف، و سیستمهای اداره موتور و سایرتجهیزات متعلقه می باشد. این تجهیزات روز و به روز تعدادشان بیشتر و وابستگی علم مکانیک به آن ها بشتر میشود. در ادامه سعی دارم نگاهی به تولید وسنسورهای موجود در بازار بیاندازیم و زمینه را برای ساخت یک سنسور پارک مهیا کنم، تا از ابزارهای موجود حداکثر بهره را برده وعملکرد مطلوب ارائه داد.
امروزه بحث سنسور به اهمیت مفاهیمی از قبیل میکروپرسسور (پردارزش گر)، انواع مختلف حافظه وسایر عناصر الکترونیکی رسیده است، با این وجود سنسور هنوز هم فاقد یک تعریف دقیق است همچنانکه کلمات الکترونیکی از قبیل پروب، بعدسنج، پیک آپ یا ترنسدیوسر هنوز هم معانی لغوی ندارند. جدا از اینها کلمه سنسور خود ریشه بعضی کلمات هم خانواده نظیر المان سنسور، سیستم سنسور، سنسور باهوش و تکنولوژی سنسور شده است کلمه سنسور یک عبارت تخصصی است که از کلمه لاتین Sensorium، به معنی توانایی حس کرد، یا Sensus به معنی حس برگرفته شده است. پیش از آن که بحث را ادامه دهیم لازم است عبارت سنسور را در صنعت الکترونیک تعریف کنیم:
یک سنسور هم کمیت فیزیکی معین را که باید اندازهگیری شود به شکل یک کمیت الکتریکی تبدیل میکند، که میتواند پردازش شود یا به صورت الکترونیکی انتقال داده شود. مثلاً یک سنسور رنگ میتواند تغییر در شدت نور را به یک پروسه تبدیل نوری الکترونی به صورت یک سیگنال الکتریکی تبدیل کند. بنابراین سنسور را میتوان به عنوان یک زیر گروه از تفکیک کنندهها که وظیفهی آن گرفتن علائم ونشانهها از محیط فیزیکی و فرستادن آن به واحد پردازش به صورت علائم الکتریکی است تعریف کرد. البته سنسوری مبدلی نیز ساخته شدهاند که خود به صورت IC میباشند و به عنوان مثال (سنسورهای پیزوالکترونیکی، سنسورهای نوری).
وقتی ما از سنسوری مجتمع صحبت میکنیم منظور این است که تکیه پروسه آمادهسازی شامل تقویت کردن سیگنال، فیلترسازی، تبدیل آنالوگ به دیجیتال و مدارات تصحیح میباشند، در غیر این صورت سنسوری که تنها سیگنال تولید میکند به نا سیستم موسوم هستند.
در نوع پیشرفته به نام سنسور هوشمند یک واحد پردازش به سنسور اضافه شده است تا خورجی آن عاری از خطا باشد منطقیتر شود. واحد پردازش سنسور که به صورت یک مدار مجتمع عرضه میشود اسمارت (Smart) نامیده میشود. یک سنسور باید خواص عمومی زیر را داشته باشد تا بتوان در سیستم به کار برد که عبارتند از:
حساسیت کافی، درجه بالای دقت و قابلیت تولید دوباره خوب، درجه بالای خطی بودن، عدم حساسیت به تداخل و تاثیرات محیطی، درجه بالای پایداری و قابلیت اطمینان، عمر بالای محصول و جایگزینی بدون مشکل.
امروزه با پیشرفت صنعت الکترونیک سنسوری مینیاتوری ساخته میشود که از جمله مشخصهی آن میتوان به موارد زیر اشاره کرد:
سیگنال خروجی بدون نویز، سیگنال خروجی سازگار با باس، احتیاج به توان پایین.
تکنیکهایی در تولید سنسور:
تکنولوژی سنسور امروزه براساس تعداد نسبتاً زیادی از سنسورهای غیرمینیاتوری استوار شده است. این امر با بررسی ابعاد هندسی سنسوریهایی برای اندازهگیری فاصله، توان، شتاب، سیال عبوری فشار و غیره مشاهده میشود. برای اکثر سنسورها این ابعاد از cm10 تجاوز میکند. اغلب ابعاد، سنسورها توسط خود سنسور تعیین نمیشود بلکه وسیله پوشش خارجی آن مشخص میگردد. با این وجود، حتی در چنین مواردی خود سنسورها از نظر اندازه در حد چند سانتیمتر هستند. چنین سنسوریهایی که میتواند گاهی خیلی گرانبها باشند، برای مثال در زمینة اندازهگیری پروسة. تکنولوژی تولید و رباتها، تکنولوژیهای میکروالکترونیک زیر اکثراً به کار برده میشوند:
تکنولوژی سیلیکان، تکنولوژی لایه نازک، تکنولوژی لایه ضخیم/هیبرید، سایر تکنولوژیهای نیمه هادیپرسوههای دیگری نیز در تولید سنسور بکار برده میشود، از قبیل تکنولوژیهای فویل سینتر، تکنولوژی فیبرنوری، مکانیک دقیق، تکنولوژی لیزر نوری، تکنولوژی مایکروویو و تکنولوژی بیولوژی. بعلاوه، تکنولوژیهایی از قبیل پلیمرها، آلیاژهای فلزی یا مواد پیزوالکتریکی نیز نقش حساسی را در تولید سنسور بازی میکنند.از آنجایی که سیلیکان و نیمه هادیهای دیگر بطور خیلی گسترده در میکروالکترونیک بکار برده می شوند. در ادامه به تشریح این پروسه تولید میپردازم.
سنسور سیلیکانی
استراتژی ترجیح داده شده در ساخت سنسوریها برمبنای سیلیکانی جدید بهرهمند شدن از تکنیکها و پردازشهایی هست که قبلاً در صنعت مدار مجتمع (IC) بر مبنای سیلیکان بنا نهاده شده است و به این طریق میتوانذ از تجربیات و نتایج این بخش صنعتی سود جست
خواص سیلیکان واثرات آن بر سنسور:
سیلیکان یک ماده مناسب برای تکنولوژی سنسور است به ظرط آن که اثرات فیزیکی و شیمیایی کافی با قوت قابل قبول نشان دهد که میتواند در ساختارهای غیرپیچیده در طول گسترة وسیعی از درجه حرارتها بکار برده شود. استفاده از سیلیکان دارای چندین پی آمد برای سنسورها میباشد. نخست آن که، خواص فیزیکی سیلیکان میتواند مستقیماً برای اندازهگیری کمیت اندازهگیری شوند. مطلوب به کار برده شود.
در جدیدترین تحولی که در سال 1980 جلوهگر شد، ارتباط تکنولوژی میکروالکترونیک با تکنیکهای ایجاد شده بویژه برای تولید سنسور است، از قبل برداشتن نم غیریکسان، یا شیشه آندی در اتصال سیلیکانی. به این طریق خواص مکانیکی بسیار خوب سیلیکان تک کریستال میتواند برای ساخت سنسورهای بدیع به کار برده شود. ای تکنولوژی که به نام میکرومکانیک موسوم است منجر به تولید عناصر سیلیکانی مکانیکی یا مکانیکی/ الکترونیکی با ابعادی به اندازة مشابه الکترونیکی آنها میگردد، که از نظر اندازه چندین میکرومتر هستند. سیلیکان تک کریستالی بویژه بخاطر خواص مکانیکی عالی خود با این تکنولوژی بخوبی سازگار است. تک کریستالی تغییر ماهیت نمیدهد. با این وجود، شکنندگی آن میتواند یک ایراد باشد. همچون الماس، این کریستال میتواند در عرض ضخامت مختلف شکسته میشود. نتیجه آن که بسیاری از سنسورهای ساخته شده بر مبنای سیلیکان تک کریستالی به کاربردهایی که در آن درجه حرارت به بالاتر از 150-120 درجه سانتی گرد افزایش پیدا نمی کند محدود میشوند.
مراحل تولید در تکنولوژی سیلیکان:
ساخت سنسورهای سیلیکانی بطور عمده براساس عملیات بکار برده شده در تکنولوژی نیمه هادی مدرن استوار است. که برای تولید عناصر میکروالکترونیکی ابداع شدهاند. تکنولوژی صفحهای سیلیکان نه فقط برتولیدات مدارات مجتمع غلبه میکند، بلکه یک عنصر تعیین کننده در تولید بسیاری از سنسورهای سیلیکانی نیز میباشد این امر منجر به مزایای زیر میشود:
ساخت کم هزینه سنسورها به تعداد زیاد، مینیاتورسازی سنسور تجمع یکپارچه و الکترونیک، ساخت سنسورهای چند گانه (سنسورهای چند گانه برروی یک چیپ تنها)، استفاده از چیپهای بزرگ یا، در بعضی موارد، و وینرهای کمل (مثلاً سلولهای خورشیدی، سنسوریهای نوری الکتریکی حساس به وضعیت)، امکان ساخت به بعدی که در آن تکنیکهای خاص برای برش عمیق و غیر ایزوتروپیک و لایههای توقف برش خاص برای خلق شکل سه بعدی عناصر سیلیکاتی مینیاتور شده به کار برده میشود، استفاده از دیسکهای خیلی نازک یا قسمتهای خیلی نازک (سنسوریهای فشار یا شتاب)، نشست دادن لایههای سنسور نازک بر و روی زمینة سیلیکان که خواص سنسور محدود سیلیکانی را توسعه میدهد.
سنسورهای در بعد حرارت:
در بعد حرارت یکی از مهمترین کمیتهای فیزیکی میباشد. بسیاری از اصول مربوطه به اندازهگیری درجه حرارت از دتها پیش شناحته شدهاند، از قبل پدیدة انبسطا مکانیکی، ترموکوپل، ترمومتر و … پیشرفتهای حاصل شده در علم مواد در دهه 1950 سبب پیدایش مقاومتهایی با ضریب درجه حرارت مثبت (PTC) یا منفی (NTC) شد، بر طبق سنسورهای موجود میتوان سنسورهای موجود حرارتی را به 1- سنسورهای مقاومتی 2- سنسورهای درجه حرارت اینزفیس طبقهبندی کنیم.
سنسورهای درجه حرارت مقاومتی:
چنین سنسورهایی از وابستگی درجه جرارت انتقال عامل استفاده میکند. اصلاح مقاومت توزیعی، از روش برای سنجش مقاومت ویژة یک نیمه هادی با استفاده از روش تک پروپی ناشی میشود.