لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*
فرمت فایل:Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)
تعداد صفحه: 11
حافظه (RAM(Random Access Memory شناخته ترین نوع حافظه در دنیای کامپیوتر است . روش دستیابی به این نوع از حافظه ها تصادفی است . چون می توان به هر سلول حافظه مستقیما" دستیابی پیدا کرد . در مقابل حافظه های RAM ، حافظه های(SAM(Serial Access Memory وجود دارند. حافظه های SAM اطلاعات را در مجموعه ای از سلول های حافظه ذخیره و صرفا" امکان دستیابی به آنها بصورت ترتیبی وجود خواهد داشت. ( نظیر نوار کاست ) در صورتیکه داده مورد نظر در محل جاری نباشد هر یک از سلول های حافظه به ترتیب بررسی شده تا داده مورد نظر پیدا گردد. حافظه های SAM در مواردیکه پردازش داده ها الزاما" بصورت ترتیبی خواهد بود مفید می باشند ( نظیر حافظه موجود بر روی کارت های گرافیک ). داده های ذخیره شده در حافظه RAM با هر اولویت دلخواه قابل دستیابی خواهند بود.
دانلود تحقیق و پروژه با موضوع تشریح مدار قفل رمزی دیجیتال که شامل 19 صفحه و بشرح زیر میباشد:
*همراه با تصاویر و دیاگرام های مربوطه
نوع فایل : Word
فهرست
تشریح مدار قفل رمزی دیجیتال با قابلیت عدد پذیری تا 16 رقم
مدارات حافظه یا (RAM).مدار مقایسه کننده.مدار نمایشگر.مدار وارد کننده اعداد.مدارات کنترل گر پالس.بخش اول :
مدارات حافظه یا(RAM) .
این مدار ازسه بخش به شرح زیر تشکیل شده.
(64-bit RAM (16.4))جدول زیر مربوط به این RAM می باشد.
(flip.Flops.4) جدول مربوط به flip.flops (counter)جدول مربوط به این ciunter می باشد.مدار کلی برای بخش اول:
بخش دوم:4-bit MAGNITUDE COMPARATOR
مدارات مقایسه کننده در اینجا دوعدد IC7485 است که یکی از این IC ها اعداد داخل RAM را با اعدادی که بعد ازکد گذاری RAM وارد سیستم می شود مقایسه کرده و دیگری عدد داخل flip.flops را با عدد جدیدی که counter نشان می دهد مقایسه می کند.
جدول مربوط به IC مقایسه کننده
مدار کلی برای بخش دوم:
بخش سوم:
نمایشگر در این مدار به سه قسمت تقسیم می شود.
LINE to 1-LANE DATA QUAD 2- SELECTOR/MULTIPLEXERحالتهای مختلف خروجی نسبت به ورودی.
3)7-SEGMENT
مدار کلی برای بخش سوم:
بخش چهارم:
مدار وارد کننده اعداد :
این قسمت از سه بخش اصلی تشکیل میشود:
1) صفحه کلید که به منظور وارد کردن اعداد در مبنای DECMAL می باشد.
2) DECMAL-TO-BCD PRIORITY ENCODER :
مدار کلی برای بخش چهارم:
بخش پنجم:
مدارات کنترل پالس:
1)CONTROLLED OSCILATOR
2) counter که در این مدار همان IC74293 می باشد.
3) DECODER که در اینجا همان IC74259
4) کلیدهای عملیاتی
مدار کلی وطرز استفاده از ان:
توضیح مختصر در مورد مدار.
گزارش کارآموزی مهندسی برق با عنوان شبیه سازی عملکرد حافظه ها در VHDL و بررسی اثرات ناشی از تزریق تصادفی خطا در آن ها آماده دانلود می باشد.
تعداد صفحه:62
نوع فایل: فایل زیپ حاوی یک فایل word می باشد.
چکیده
در سیستم های ماهواره ای همواره یکی از دغدغه های مهندسین، این است که از صحت اطلاعات دریافتی، به صورتی اطمینان داشته باشند. در همین راستا کد های تشخیص و تصحیح خطا ایجاد شده اند که دو نمونه از آن ها ارائه خواهند شد. پس از اطمینان از صحت اطلاعات دریافتی برنامه ی حافظه به صورت روندی که در ادامه توضیح داده خواهد شد شبیه سازی و اجرا می شود.
پس از شبیه سازی برنامه در نرم افزار Xilinx ISE باید به نوعی به آن خطا تزریق شود که این کار به کمک نرم افزار MATLAB انجام می پذیرد و برنامه ی تغییر یافته باز هم به شبیه ساز اعمال می شود تا نتیجه ی تغییر تصادفی ایجاد شده در برنامه مشاهده شود و اثر آن بررسی شود.